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建議收藏:預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)!|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC(上)

2023-09-08 09:41:02 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)

建議收藏:預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)?(上)相信不少人是有疑問的,今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下!

作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾。


(相關(guān)資料圖)

而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

a、1MHz以內(nèi)

以差模干擾為主,增大X電容就可解決。

b、1MHz~5MHz

差模共模混合,采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決。

c、5MHz~10MHz

以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。

d、10MHz~25MHz

對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHz以上干擾有較大的衰減。

e、25~30MHz

可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變 PCB的LAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈,在輸出整流管兩端并RC濾波器。

f、30MHz~50MHz

普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007 慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決。

g、100~200MHz

普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠。

h、100MHz~200MHz

大部分出于PFC MOSFET及PFC二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問題,但垂直方向就很無(wú)奈了。

開關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100MHz以下的頻段。也可以在MOS二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

綜上所述,相信通過本文的描述,各位對(duì)建議收藏:預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)(上)都有一定了解了吧,有疑問和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說到這,下次給各位講解些別的內(nèi)容,咱們下回見啦!也可以關(guān)注我司wx公眾平臺(tái):深圳比創(chuàng)達(dá)EMC!

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